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内存时序高好还是低好(内存时序)

日期:2022-10-05 18:51:19人气:5

导读:大家好,小帝来为大家解答以上问题。内存时序高好还是低好,内存时序这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!1、FSB:DRAM 是CPU外频...

大家好,小帝来为大家解答以上问题。内存时序高好还是低好,内存时序这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1、FSB:DRAM 是CPU外频与内存单向运行频率的比值内存时序是一种参数,一般存储在内存条的SPD上。

2、2-2-2-8 4个数字的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,他是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。

3、RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。

4、Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。

5、Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。

6、这是玩家最关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定,内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组,在同样频率设定下,最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能,幅度在3至5个百分点。

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