三星推出采用HKMG工艺技术的512GBDDR5模块

日期：2023-11-27 12:33:55人气：7

导读：三星推出采用HKMG工艺技术的512GBDDR5模块：由于使用了传统上用于逻辑半导体的HKMG技术，三星新型DDR5模块的功耗降低了约13%，同时性能得到了提升。它利用硅通孔(TSV)技术，堆叠八层16Gb DRAM芯片，总容量为512GB。三星目前正在向数据

由于使用了传统上用于逻辑半导体的HKMG技术，三星新型DDR5模块的功耗降低了约13%，同时性能得到了提升。它利用硅通孔(TSV)技术，堆叠八层16Gb DRAM芯片，总容量为512GB。

三星目前正在向数据分析，机器学习，人工智能和超级计算领域的各种客户提供这些新的DDR5模块的样品。