华为全新芯片制造技术可有效控制散热

公开号为CN113113367A的题为芯片、芯片制造方法和电子设备”的专利已于2020年1月申请，与芯片组中的散热技术有关。

如专利所示，特定方法将控制硅芯片中的热扩散。该方法在两个相邻的硅芯片之间使用一个热块，它传递两个芯片模块的热量。

该程序提高了芯片的散热能力，可以限制大量热量在硅芯片上膨胀并驱动芯片升温。

所描述的方法需要实现主体、多个硅芯片组和多个热块。该方法按如下所述的顺序工作。

布置：主体由若干个芯片组和散热块组成，它们绑定在壳体上。

过程： 在两个硅芯片模块之间放置一个热块，热块的表面负责控制芯片中产生的热量。

此外，华为还为芯片制造技术申请了专利，旨在降低啁啾频率。该方法需要Laser Chip主体、直调激光器(DML区)、Mach-Zehnder干涉仪(MZI滤波器区)和Isolation区。