背照式cmos(cmos和背照式cmos) cmos前照式背照式

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一．背照式cmos是什么意思：

1．背照射CCD是相对于常规的前照射CCD而言的，具有更好的量子效率，因此也具有更好的灵敏度。EMCCD为电子倍增CCD，工作原理类似光电倍增管，在信号读出的过程中，通过相对的高压，将信号逐步放大，带来的影响就是提高了灵敏度。

2．因此背照射EMCCD最大的优点就是具有非常高的灵敏度，适合微弱信号的探测。比如单分子荧光SMF试验，目前已经完全替代了以前使用的三代ICCD由于背照式CCD阵列(Back thinned CCD Array)具有量子效率高，动态范围大，暗噪声低，紫外区与近红外区响应好等优点，因此非常适合于200-1100nm范围的检测需要。

3．但由于其造价昂贵，长期以来只能作为大多数阵列式光谱仪生产厂家的高端产品存在，无法得到大范围的应用。目前，美国必达泰克公司(B&W TEK INC。

4．)通过不懈努力，利用目前最新的背照式CCD阵列，已成功开发出全球第一台新一代背照式CCD阵列光谱仪(BRC641E)，将背照式CCD阵列光谱仪带入了大众价位。

5．该光谱仪采用了最新的2048×1 等效元的背照式CCD阵列，动态范围可达5200:1。该光谱仪还采用了全息平场凹面光栅结构，大大地降低了杂散光，并大大增强了紫外区和近红外区的信号。

6．同时由于采用的CCD阵列在横向上具有2048元像素，远大于以往的背照式CCD阵列的像素数量，也为高分辨率的需求提供了保证。

7．该光谱仪采用光纤接口，配置灵活，能够根据不同的需要搭建成不同的光谱检测平台，而其高灵敏度也使其成为了紫外吸收、荧光与拉曼检测的理想选择。

8．与传统的背照式CCD阵列相比，其价格远低于传统背照式CCD阵列光谱仪，虽然其缺少了传统背照式CCD阵列的致冷控温功能，但由于其具有暗噪声自动补偿功能，完全可以满足大部分科研工作和工业应用的需要。

二．背照式cmos与CCD的区别，和背照式cmos和CCD的特点：

1．CCD和CMOS在制造上的主要区别是‍CCD是集成在半导体单晶材料上，而CMOS是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上，工作原理没有本质的区别。

2．CCD只有少数几个厂商例如索尼、松下等掌握这种技术。而且CCD制造工艺较复杂，采用CCD的摄像头价格都会相对比较贵。

3．事实上经过技术改造，目前CCD和CMOS的实际效果的差距已经减小了不少。而且CMOS的制造成本和功耗都要低于CCD不少，所以很多摄像‍头生产厂商采用的CMOS感光元件。

4．成像方面：在相同像素下CCD的成像通透性、明锐度都很好，色彩还原、曝光可以保证基本准确。而CMOS的产品往往通透性一般，对实物的色彩还原能力偏弱，曝光也都不太好，由于自身物理特性的原因，CMOS的成像质量和CCD还是有一定距离的。

三．cmos摄像头传感器 和背照式coms差距在哪里：

1．光线足够的时候，CCD的画质还是比较好的，机身价格在7万以上的中画幅数码相机都是采用的CCD传感器。CCD传感器在弱光的时候表现较差，背照式CMOS采用了与传统CMOS的设计顺序正好相反，向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术。

2．由于不受金属线路和晶体管的防碍，开口率(光电转换部分在一个像素中所占的面积比例)可提高近100%。与其以往75μm间隔的表面照射产品相比，背面照射产品在灵敏度(S/N)上具有很大优势。

3．在信噪比方面，背照式CMOS影像传感器实现了高画质，在实现了低噪点的同时，提高了接近2倍的灵敏度，因此新开发的CMOS影像传感器的信噪比提高了 8dB(灵敏度提高 6dB，噪音下降-2dB)。

4．简单地说，背照式CMOS在光线不足的时候表现更好，而且这个优势在采用小尺寸传感器的卡片机上更为明显，另外更容易实现高清摄像高速连拍什么的。

5．除了索尼，佳能卡片机型号中带“HS”的也是采用索尼的背照式CMOS传感器，尼康、卡西欧、理光等厂家也有采用索尼生产的背照式CMOS传感器，表现都还不错的，嗯，富士也有自己的背照式CMOS技术的传感器。

6．比如佳能IXUS115HS、IXUS310HS、尼康S9100、卡西欧ZR100，富士F505EXR、理光CX宾得Q等等。

7．嗯，其实，今年上市的卡片机，除了个别牌子（比如松下、三星）个别型号，绝大部分都是采用背照式CMOS的啦，数码产品买新不买旧。

四．背照式CMOS摄像头是什么？：

一种更加优秀的感光元件，原理是将受光面提前，让光线首先进入到发光二级管，从而增大感光量，显著提高手机在低光条件下的拍摄效果

本文到此结束，希望对大家有所帮助。